SIC高周波溶接機

インバータトリガ回路は、高信頼性集積回路チップと高出力ドライバチップを完全に選択し、周辺回路の部品数を減らし、故障の可能性を根本的に減少させます。その反干渉能力と作業安定性は、シングルチップや他のチップで構成される回路よりもはるかに優れています。ボードには以下の機能があります。

1)インバータは、作業状態で広い適応範囲を有し、鋼の仕様またはセンサーの交換後に作業状態を調整する必要はありません。

2)位相ロックループ回路を備え、優れた自動周波数追跡機能を備えています。

3)独自の開始位相ロック検出機能を備えています。

4)それは完全な保護機能を備えている:それは完全な保護機能を有する:高相保護、低位相保護、周波数の過大限保護、過電圧保護および制御ボードの低い供給電圧保護。

 SIC高周波溶接機の主回路構造

SIC高効率スイッチ溶接機の主回路構造を図に示す。これは、一般的なAC-DC-AC-DC-AC周波数構造です。整流器は三相ブリッジ整流回路を使用する。IGBTは出力電圧の調整に使用されます。次にSICインバータにより、200-600KHZの高周波交流が発生する。SIC高効率スイッチ溶接機は、モジュール式並列構造を使用して電源を拡張します。IGBTと高速回収ダイオードによって形成される整流電力制御ユニットの密度は50-100 KWです。各高周波インバータユニットは、異なる周波数に応じて30-60KW単位に分割されています。スイッチ全体のオールインワンマシンは、コンパクトな構造、小型、メンテナンスが容易で、故障率が低い特徴です。あらゆる種類の並列インバータ障害を効果的かつ迅速に防止するために、同社はインバータの安全で信頼性の高い動作を保証するために、ユニークで安定した信頼性の整流器インバータ保護回路を採用しています。

溶接プロセスの主な目的は、熱影響ゾーンのサイズ(押出ゾーン内の加熱材料の体積)と熱影響ゾーンの加熱時間の2つの内容を制御することです。

1. 熱影響ゾーンのサイズ

高周波溶接の過程で、熱影響ゾーンのサイズは溶接製品の品質に直接影響を与えます。熱影響ゾーンが小さすぎると、溶接融着が不十分であり、溶接は不適格です。熱影響ゾーンの適切なサイズのみが適切な溶接および適格な製品を得ることができます。

2. 加熱時間

高周波溶接では、加熱時間の長さが熱影響ゾーン(HAZ)の微細構造特性に影響を与える直接的な要因であり、これは非常に重要である。加熱時間の長さは、溶融ゾーン内の材料の粒構造に大きな影響を与えます。適切な粒子構造と熱流線は、溶接微細構造がベースメタルに匹敵することを保証するための鍵であり、高周波溶接は溶接の微細構造がベースメタルのそれよりも優れていることを要求する必要があり、溶接の微細構造と特性を保証する必要があります。したがって、高周波溶接は通常、低すぎるべき溶接速度を必要とします。加熱時間が長すぎると、熱影響ゾーンのサイズに影響を与えるだけでなく、粒度にも影響を与え、粒子の成長をもたらし、溶接の性能に影響を与え、溶接性能の実験で明らかな悪影響を及ぼす可能性があります。もちろん、加熱時間が短すぎると、十分に加熱しないと冷間溶接が発生し、溶接効果を完成させなくなる。そのため、加熱時間も鍵となる。

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